Tescan/Nos techniques / FIB MEB Ga ou Xe
Notre équipe d’experts vous accompagne tout au long de votre projet d’analyse en FIB MEB, de la formulation de votre problématique jusqu’à sa résolution.

Avec l'accès à l'ensemble du parc instrumental de TESCAN ainsi que celui d'ORSAY PHYSICS, nous utilisons les dernières innovations FIB MEB ainsi que de nombreux détecteurs et modules. Nous vous fournirons des résultats complets et un rapport détaillé sur lequel vous pourrez échanger avec nos ingénieurs.


Vous n’êtes pas sûr que le FIB MEB convienne à vos besoins ? N’hésitez pas à nous contacter afin que nous trouvions ensemble la technique adaptée à votre problématique.
 


Principe FIB MEB Ga ou Xe


La FIB (Focused Ion Beam) est un faisceau d'ions focalisés permettant un micro-usinage de la surface de l'échantillon.

La FIB Ga ou Xe est utilisée pour usiner localement la matière permettant de réaliser des cross sections et des lames minces pour le MET.

La plupart des systèmes FIB utilisent le Gallium pour usiner les surfaces (sur environ 10 - 15 micromètres) et préparer les lames minces pour l'observation en MET (Microscope Electronique en Transmission). La FIB Xénon, moins répandue, permet d'usiner des dimensions plus importantes, supérieures à la centaine de micromètres. 


Durant les 25 dernières années, la FIB est devenue une technologie clef pour un large éventail d'applications en science des matériaux : circuit edit, préparation d'échantillon pour le MET, analyse microstructurale, micro-nanomachining....

Associée au MEB (Microscope électronique à balayage), la FIB est un équipement puissant pour la nano manipulation et la nano fabrication.

Les systèmes d'injection de gaz GIS (Gas Injection System) made in ORSAY PHYSICS permettent de déposer des matériaux localement ou de faciliter la gravure de certains matériaux. 
 

PRÉPARATION D'ÉCHANTILLON POUR ANALYSE MET

Usinage de lames fines (épaisseur < 100 nm) 
Le MET nécessite des échantillons suffisamment minces pour laisser passer les électrons. La FIB, avec sa précision nanométrique, est idéale pour repérer et usiner des échantillons. 


 

RÉALISATION DE " CROSS SECTIONS " POUR ANALYSE MEB

Coupe de section plus ou moins profonde dans l'échantillon
La FIB permet de réaliser des 'cross sections' afin d'observer la structure et/ou la chimie de la sub surface en MEB. Il est possible d'alterner des séquences d'analyse/gravure pour une reconstruction en 3D du volume gravé.


 

MICRO/NANO USINAGE ET DÉPÔT

Dépôt de couches fines de tungstène ou platine

MICRO-USINAGE

En raison de l’effet de pulvérisation, la FIB est utilisée comme un outil de micro-fabrication, pour modifier ou pour usiner la matière à l’échelle micrométrique ou nanométrique. Elle permet également de déposer des matériaux, « déposition induite par faisceau d’ions » (Ion Beam Induced Deposition " IBID ").

DEPÔT

En balayant une zone de l’échantillon avec le faisceau d’ions (ou d'électrons), le gaz précurseur est décomposé et le tungstène ou platine, non volatil, reste déposé à la surface de l’échantillon. La couche déposée protège l’échantillon de la pulvérisation par le Gallium ou le Xénon. 

Applications FIB MEB

Spécification techniques FIB MEB

  • Source : 
    • FIB conventionnelle : métal liquide Ga (LMIS)
    • Plasma FIB : plasma Xénon (Electron Cyclotron Resonance (ECR) source)
  • Densité de courant :
    • FIB conventionnelle : 100 nA
    • Plasma FIB : 3 µA
  • Volume accessible : 
    • FIB conventionnelle : quelques dizaines de µm (longueur) x quelques µm (profondeur)
    • Plasma FIB : plusieurs centaines de µm x plusieurs centaines de µm

Forces FIB MEB

  • Dual Beam : localisation préalable de la zone d'intérêt par MEB & visualisation de la gravure en temps réel
  • Accès à des interfaces enfouies et sur des zones plus grandes
  • Possibilités de zoom sur zones particulières
Avez-vous des questions ? N'hésitez pas à nous contacter !