FR
English
France
Toggle navigation
Applications
Vos Matériaux
Vos Thématiques
Votre Secteur d'Activité
Analyse de Surface
Techniques
XPS / ESCA
ToF-SIMS
AFM
MET STEM EDX EELS
MEB EDX EBSD
FIB MEB Ga ou Xe
Profilométrie Optique
Mouillabilité, énergie de surface
Perméabilité (O2, H2O)
Equipements
XPS
ToF-SIMS
AFM
TEM
MEB
FIB MEB
Profilomètre optique
Ultra Microtomie
Formation
R&D
Projets Collaboratifs
Développements
Partenaires
Communications
A propos
Nouvelles
Evénements
Demande de Devis
Contact
Tescan
/
Analyse de Surface
/
Equipements
/
ToF-SIMS
ION TOF - TOF 5
Le
Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF SIMS)
est une technique puissante et très sensible, utilisée pour l
'Analyse de la Chimie de Surface
(information moléculaire ou élémentaire sur la première monocouche), l'
Imagerie Chimique
moléculaire ou élémentaire de surface (résolution latérale 0,1 µm), et le
Profilage Chimique
élémentaire et moléculaire (jusqu'à 10-15 µm de profondeur, résolution nanométrique en z)
Echantillons analysés :
tous les matériaux compatibles avec l'UHV
Isolants (compensation de charge), polymères, produits organiques, échantillons biologiques, poudres, verres, semiconducteurs, métaux, alliages
Haute résolution en masse (< 10.000)
Haute précision de masse (< 10 ppm)
Détection des hautes masses (< 15000 D)
Profondeur d'analyse de 0,2 - 0,5 nm (1 monocouche)
Haute résolution latérale (jusqu'à 0,1 μm)
Sources d'ions multiples : Bi et clusters (Bi
3
, Bi
5
) pour l'analyse ; O
2,
Cs et GCIS pour l'abrasion
Doigt Froid (pour l'analyse en surfaces des composés volatiles ou pour le profilage chimique de matériaux contenant des éléents mobiles comme le Lithium)
Dimensions maximales des échantillons : L x l : 60 x 60 mm², épaisseur 10 mm, poids < 100 g