TescanAnalyse de Surface Equipements MEB

Microscope Electronique à Balayage (MEB)

Le MEB est un équipement polyvalent multifonctionnel qui permet d'obtenir des images de la structure de surface et de la morphologie du matériau avec une résolution de quelques nm et une très grande profondeur de champ ; Il donne également une information chimique qualitative (BSE) et quantitative (EDX, résolution latérale autour de 1μm).
TESCAN ANALYTICS utilise 3 équipements TESCAN: 2 sources FEG (FERA et LYRA) et 1 source de Tungstène (VEGA) avec option pression variable.

Echantillons analysés : tous types de matériaux
Isolants (compensation de charge), polymères, produits organiques, échantillons biologiques, poudres, verres, semiconducteurs, métaux, alliages

Regardez dans une galerie pleine d'applications réelles.

TESCAN - FERA3 and LYRA3 - source FEG , EDX, EBSD

Les équipements TESCAN FERA3 and LYRA3 possèdent tous deux des colonnes FEG SEM qui mermettent d'analyser tous types de matériaux avec la meilleure résolution possible. Ils sont munis de détecteurs EDX et EBSD :

L'EDX est une technique dans laquelle les rayonements X générés par l'interaction entre le faisceau d'électrons et l'échantillon sont analysés pour donner une composition élémentaire de l'échantillon. Un spectre EDX comporte des pics qui correspondent aux rayonnements caractéristiques d'un élément spécifique. Une caractérisation chimique quantitative de l'échantillon est déduite du spectre EDX.
L'EBSD est une technique d'analyse MEB pour étudier la structure et l'orientation cristalline de la surface d'un échantillon jusqu'à une échelle nanométrique. L'EBSD donne des informations sur la structure cristalline ou polycristalline des matériaux : orientation locale, phase, caractérisation de la morphologie des grains, joints de grain, texture d'orientation, stress et défauts internes des matériaux peuvent être déterminés avec cette technique de microanalyse

Les deux équipements sont aussi couplés avec des FIB : le couplage de la FIB et du MEB (FIB-MEBs) ouvre de nouvelles possibilités d'application, qu'il n'aurait pas été possible d'atteindre avec des équipements 'standalone'. La configuration d'un système FIB MEB est telle que les points focaux des électrons et des ions coincindent, ce qui permet d'imager avec le MEB pendant l'usinage FIB : c'est un sant significatif en terme de performance dans un domaine nécessitant un très haut niveau de précision.

Canon à électron : High brightness Schottky emitter
Résolution en mode HV : 1,2 nm à 30kV
Résolution mode LV : 1,5 nm à 30kV.
Résolution BSE : 2 nm à 30kV
Grandissement : à 30kV : 1x – 1 000 000x
Champ maximum : 6,0 mm (dist. de travail de 9 mm) ; 17 mm (dist. de travail de 30 mm)
Tension d’accélération : 200 V à 30 kV
Courant de pointe : 2 pA à 200 nA

FERA 3 - TESCAN

TESCAN - VEGA3 - W source, EDX

L'équipement TESCAN VEGA3 est un MEB Tungstène, à pression variable; ce système adaptable permet de travailler sous un vide dégradé pour éviter de métalliser les échantillons non conducteurs avant leur analyse.

VEGA 3 - TESCAN